Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas

Firma Renesas Electronics, wiodący dostawca rozwiązań półprzewodnikowych, zaprezentował dwie nowe serie energooszczędnych pamięci Advanced Low Power SRAM. RMLV1616A (16Mb) oraz RMWV3216A (32Mb) zostały zaprojektowanie pod kątem zwiększenia niezawodności i wydłużenia czasu pracy na zasilaniu bateryjnym. Wszystko dzięki innowacyjnej technologii komórek pamięci wykonanych w procesie 110nm.

Dzięki autorskiej technologii firmie Renesas udało się poprawić odporność na błędy (soft errors) ponad 500-krotnie w stosunku do konwencjonalnych komórek pamięci Full CMOS. Sprawia to, że mogą one być stosowane w przemysłowych aplikacjach wymagających wysokiej niezawodności, takich jak automatyzacja procesów, przyrządy pomiarowe, Smart Grid itp. itd. Pobór prądu w trybie gotowości (Standby Current) udało się zredukować do poziomu 0.5 µA (typowo) dla pojemności 16Mb oraz 1µA (typowo) dla pojemności 32Mb. Jest to mniej niż połowa w odniesieniu do wcześniejszych generacji pamięci SRAM firmy Renesas, co czyni je również idealnymi w zastosowaniu w aplikacjach zasilanych bateryjnie. Minimalne napięcie zasilania to tylko 1.5 V. RMLV1616A (16Mb) dostępne są w trzech typach obudów - 48-ball FBGA, 48-pin TSOP (I), oraz 52-pin µTSOP (II). RMWV3216A (32Mb) dostępne są w obudowie 48-ball FBGA. Wiecej informacji - sales@glyn.pl